统帅阿里YunOS电视发布新品最低1320元北京时间9月10日消息，国电海尔旗下互联网电视品牌统帅日前在郑州发布多款智能电视新品，国电搭载阿里YunOS系统，售价1320元人民币起。

在软件方面，信息息化S2采用业界最新的AndroidTV操作系统，信息息化该新系统将带来全新设计的用户界面，完全基于MaterialDesign语言设计，当然也支持谷歌生态系统的应用程序，内置GooglePlay应用程序商店。据第三方预测，化项到2017年，50寸以上液晶显示器90%将都会支持4K分辨率，将会有更多的机顶盒产品来满足4K超高清的需求。

此外，目获B800S2还具有专有3D图形处理单元、4K(38402160@60fps10-BitColor)超高清，为用户提供清晰、流畅、高速的观看体验。同时，年电S2机顶盒集成中兴最新的智慧家庭2.0方案，年电从而实现互联网冲浪、1080P高清面对面可视通讯，以及多屏遥控功能等更多的互联网应用，可为用户提供全方位的新体验。2015年9月11日，力行欧洲最大的广播电视专业展会IBC2015在阿姆斯特丹正式开幕。

业信新接口技术极大提升了外接访问速度。另外，成果特别设计的HDMIIn+HDMIOut双端口，能让S2与其他设备(例如用户家中现存电视机顶盒)串联使用

另外，国电特别设计的HDMIIn+HDMIOut双端口，能让S2与其他设备(例如用户家中现存电视机顶盒)串联使用。

其主要特点如下：信息息化B800S2突出的是小型化、信息息化智能化的设计理念：机顶盒规格为192mm148mm35mm，外观小巧，造型时尚;硬件方面，B800S2采用64位系统架构，集成业界领先的超级双核CPU，DMIPS值达到12000，满足更复杂运算的要求。（2）探索二维半导体的磁性掺杂，化项通过Fe掺杂SnS2获得了具有铁磁特性的二维半导体（Nat.Commun.2017,8,1958.），化项成功将磁性Co元素掺入MoS2形成高质量二维合金（ACSNano2015,9(2),1257-1262.）。

【图文导读】图一b-As晶体的表征（a）具有层状特性的b-As晶体结构模型（b）单层和多层b-As薄片的显微拉曼光谱（c、目获d）b-As晶体的HRTEM和选区电子衍射（SAED）图像图二单层b-As场效应晶体管的表征（a）单层b-As场效应晶体管的截面示意图（b）单层b-As场效应晶体管的AFM图像（c）不同漏源电压下（从-0.01到-1V）单层器件的输运特性（Ids-Vg），目获其左侧是对数刻度，右侧是线性刻度（d）不同栅极电压下（0到-20V）器件的输出特性图三b-As场效应晶体管载流子输运与厚度及温度之间的相关性（a）在Vds为-0.5V时，b-As的载流子迁移率及开关电流比与材料厚度之间的函数关系曲线（b）三种代表性厚度（4.6、8.9和14.6nm）的砷基场效应晶体管的输运特性，插图表示厚度为14.6nm样品的输出特性（c）不同温度下厚度为9.5nm的b-As场效应晶体管的输运特性（Ids-Vg）（d）载流子迁移率随温度的变化关系，在温度约为230K处载流子迁移率出现峰值，为52cm2V-1s-1，在低温区域，载流子迁移率主要受限于杂质散射，在高于230K的区域，载流子迁移率随着温度的升高而快速降低，其变化关系可由μ∝T-α表示，其中α≈0.3，这是由于在该温度区域内晶格散射占主导地位图四b-As器件的环境稳定性（a）少层b-As晶体管的漏源I-V特性与环境暴露时间之间的关系，可以看出26天后，晶体管仍保持良好的欧姆接触性能（b）晶体管的输运性能随暴露时间的变化关系（c）该晶体管的载流子迁移率和开关电流比与暴露于空气中的时间之间的函数关系，随着暴露时间的增加，该晶体管的迁移率从26cm2V-1s-1非线性降低至约为8.4cm2V-1s-1，而开关电流比却从69增加至约为97，对于该场效应晶体管，砷的厚度为11.9nm，沟道长≈2μm，沟道宽≈2μm（d）b-As中的氧含量与暴露于空气的时间之间的函数关系，该数值取自HAADFSTEM-EDX结果图五少层b-As的电子性质（a）单层原子结构和相关布里渊区的俯视图（b）理论计算的单层黑砷的电子能带结构（c、d）CBM和VBM的电荷分布（e）黑砷的带隙变化与层厚之间的函数关系【小结】本文制备出机械剥离的单层和少层b-As基场效应晶体管并详细地研究了它们的电学性质。【通讯作者及团队介绍】（1）团队介绍魏钟鸣，年电中国科学院半导体研究所，年电半导体超晶格国家重点实验室研究员、博士生导师，兼任中国科学院大学岗位教授。

此外，力行b-As拥有相对良好的环境稳定性，这对其实际应用至关重要。理论预测表明，业信B-As的电子能带结构具有很强的层数依赖性：块体层状B-As是一种直接带隙半导体，其带隙值大约为0.3eV。